スパッタリングターゲットをメインアプリケーション

- Nov 08, 2017-

スパッタリングターゲットは、集積回路、液晶ディスプレイ、情報記憶装置、レーザーメモリ、電子制御装置などの電子情報産業に主に使用される。 ガラスコーティングの分野にも適用することができる。 高温耐性材料、耐食性、高品位の装飾品および他の産業にも使用することができる。

形状の分類によると、長いターゲット、ターゲット、サークルターゲット、ターゲットプロファイルは、金属ターゲット、合金ターゲット材料、セラミック化合物ターゲットに異なるアプリケーションに応じて分割することができ、セラミック半導体関連ターゲット、記録媒体に分割することができ、貴金属薄膜抵抗体ターゲット、ターゲット、ターゲット、導電性膜表面改質層マスクターゲットのターゲット領域、ターゲット、ターゲット、磁気記録ディスクの用途領域に応じて、セラミックターゲット、セラミックターゲット、セラミックスターゲット、巨大磁気抵抗セラミックスターゲットを表示、ターゲット、ターゲット、ターゲット、装飾層電極パッケージターゲット、マグネトロンスパッタリングのターゲット彼は原則:スパッタリングターゲット(陰極)の組成と直交磁場と電界と陽極で、不活性ガス(通常はAr)が必要な場合、永久磁石は250〜350 Gauss ターゲット物質の表面上の磁場直交電磁場は、高電圧電場からなる。 電場の影響を受けて、イオン化確率から、電子及び電子へのArガスイオン、高い負電圧のターゲット、及び電子ターゲットからの磁場の作用下での作動ガスが増加し、高密度プラズマ陰極付近では、ターゲット表面に向かって加速されたローレンツ力におけるArイオンの役割。 非常に高速の衝突ターゲット表面では、ターゲットはスパッタされた原子がターゲット表面から基板堆積膜までの高い運動エネルギーで運動量変換原理に従う。 マグネトロンスパッタリングは、ブランチスパッタリングとRFスパッタリングの2つのタイプに大別され、ブランチスパッタリング装置は原則的に単純で金属スパッタリングが速い。 RFスパッタリングは、導電性材料をスパッタリングすることに加えて、より広範に使用することができるが、非導電性材料をスパッタリングするだけでなく、反応性スパッタリングによって酸化物、窒化物および炭化物および他の化合物を調製する。 RF周波数が増加すると、通常、電子サイクロトロン共鳴(ECR)型マイクロ波プラズマスパッタリングを用いたマイクロ波プラズマスパッタリングとなる。

マグネトロンスパッタリングターゲット:

金属合金スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット、スパッタリングセラミックスターゲット、ホウ化物セラミックスパッタリング炭化物セラミックスパッタリングフッ化物セラミックスパッタリング窒化物セラミック酸化物セラミックターゲットスパッタリング、セレン化物セラミックスパッタリングセラミックススパッタリングスルフィドセラミックスパッタリングテルライドセラミックスパッタリング他のセラミックターゲット、クロムドープ酸化ケイ素セラミックインジウム燐(InP)、ヒ素鉛ターゲット(PbAs)、InAsターゲット(InAs)のターゲットである。

高純度かつ高密度のスパッタリングターゲットは、

スパッタリングターゲット(純度:99.9%-99.999%)

1.金属ターゲット:

ターゲット、Ni、ニッケルチタンターゲット、Ti、Zn、Cr、Zn、Mg、Cr、ターゲットMg、ターゲットNb、ターゲット、ターゲットニオブスズ、Sn、アルミニウムターゲットおよびAlターゲット、In、鉄およびインジウムターゲット、Fe、ターゲット、ZrAl、ZrAlTiおよびAlターゲット、TiAl、ジルコニウムターゲットZr、AlSi、シリコンアルミニウムシリコンターゲット、ターゲットSi、ターゲットCu、ターゲットT銅、タンタルターゲット、Ge、a、Ge、Ag、コバルト銀ターゲットターゲット、Co 、Au、Gd、金ターゲット、ターゲットGd、ターゲットLa、ターゲットイットリウム、ランタン、セリウム、ターゲット、Ce、Yタングステンターゲット、W、ステンレス鋼、ニッケルクロムターゲットターゲット、ターゲットおよびHf、NiCr、ハフニウムモリブデンターゲットおよびMoターゲット、FeNi、鉄ニッケル、タングステンターゲット、Wメタルスパッタリングターゲット。

セラミックターゲット

ITO、AZOターゲット、酸化マグネシウム、ターゲット、ターゲット、酸化鉄窒化ケイ素のターゲット、窒化チタン、炭化ケイ素ターゲットターゲットターゲット、酸化亜鉛クロム、硫化亜鉛、シリカターゲット、ターゲット酸化シリコン、酸化セリウムターゲット、 2つのジルコニア酸化物、2つの二酸化ジルコニア、2つのジルコニアターゲット、2つのジルコニアターゲット、2つの酸化ジルコニウムターゲット、2つのジルコニウムホウ化チタン、2つの酸化タンタル、5つのニオブターゲット、ターゲット、ターゲットフッ化イットリウム、フッ化マグネシウム、セレン化亜鉛ターゲット、窒化アルミニウムターゲット、窒化ケイ素ターゲット、窒化ホウ素窒化チタン炭化ケイ素ターゲット、ターゲット、ターゲット。 ターゲット、ターゲット、リチウムニオブ酸チタン酸プラセオジウム、チタン酸バリウムターゲット、ランタンチタネート、および酸化ニッケルセラミックターゲットスパッタリングターゲット。

合金ターゲット

ニッケルバナジウム合金ターゲット、アルミニウムシリコン合金ターゲット、ニッケル銅合金ターゲット、チタンアルミニウム合金、ニッケルバナジウム合金ターゲット、ホウ素合金ターゲット、フェロシリコン合金ターゲット高純度合金スパッタリングターゲットなどが挙げられる。